H01S 5/00 - Полупроводниковые лазеры [7]
5/02 . конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера [7]
5/022 . . монтажные, сборочные элементы; корпуса [7]
5/024 . . охлаждающие устройства [7]
5/026 . . монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров H01S 5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G02B 6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложке или на ней, и предназначенные для светового излучения H01L 27/15) [7]
5/028 . . покрытия [7]
5/04 . способы и устройства для возбуждения, например накачка (H01S 5/06 имеет преимущество) [7]
5/042 . . электрическое возбуждение [7]
5/06 . устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду (передающие системы, использующие световые волны H04B 10/00) [7]
5/062 . . изменением потенциала, приложенного к электродам (H01S 5/065 имеет преимущество) [7]
5/0625 . . . в многосекционных лазерах [7]
5/065 . . синхронизация мод; подавление мод; селекция мод [7]
5/068 . . стабилизация выходных параметров лазера (H01S 5/0625 имеет преимущество) [7]
5/0683 . . . посредством мониторинга оптических выходных параметров [7]
5/0687 . . . . стабилизация частоты лазера [7]
5/10 . конструкция или форма оптического резонатора [7]
5/12 . . резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) (H01S 5/18 имеет преимущество) [7]
5/125 . . . лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры) [7]
5/14 . . лазеры с внешним объемным резонатором (H01S 5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S 5/065) [7]
5/16 . . лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (H01S 5/14 имеет преимущество) [7]
5/18 . . лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры) [7]
5/183 . . . с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры) [7]
5/187 . . . с использованием распределенного отражателя Брэгга (SE-DBR-лазеры) (H01S 5/183 имеет преимущество) [7]
5/20 . структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны [7]
5/22 . . с чередующимися гребнями и бороздками [7]
5/223 . . . утопленная бороздчатая структура (H01S 5/227 имеет преимущество) [7]
5/227 . . . утопленная мезаструктура [7]
5/24 . . в виде канавок, например V-образных [7]
5/30 . структура или форма активной зоны; материалы для нее [7]
5/32 . . с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34 имеет преимущество) [7]
5/323 . . . в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
5/327 . . . с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
5/34 . . содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (большие лазеры) [7]
5/343 . . . в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
5/347 . . . в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
5/40 . размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S 5/02-H01S 5/30 (H01S 5/50 имеет преимущество) [7]
5/42 . . решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью [7]
5/50 . конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S 5/02-H01S 5/30(как ретрансляторы в передающих системах H04B 10/17) [7]