5/02 | . | конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера [7] |
5/022 | . | . | монтажные, сборочные элементы; корпуса [7] |
5/024 | . | . | охлаждающие устройства [7] |
5/026 | . | . | монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров H01S 5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G02B 6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложке или на ней, и предназначенные для светового излучения H01L 27/15) [7] |
5/028 | . | . | покрытия [7] |
5/04 | . | способы и устройства для возбуждения, например накачка (H01S 5/06 имеет преимущество) [7] |
5/042 | . | . | электрическое возбуждение [7] |
5/06 | . | устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду (передающие системы, использующие световые волны H04B 10/00) [7] |
5/062 | . | . | изменением потенциала, приложенного к электродам (H01S 5/065 имеет преимущество) [7] |
5/0625 | . | . | . | в многосекционных лазерах [7] |
5/065 | . | . | синхронизация мод; подавление мод; селекция мод [7] |
5/068 | . | . | стабилизация выходных параметров лазера (H01S 5/0625 имеет преимущество) [7] |
5/0683 | . | . | . | посредством мониторинга оптических выходных параметров [7] |
5/0687 | . | . | . | . | стабилизация частоты лазера [7] |
5/10 | . | конструкция или форма оптического резонатора [7] |
5/12 | . | . | резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) (H01S 5/18 имеет преимущество) [7] |
5/125 | . | . | . | лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры) [7] |
5/14 | . | . | лазеры с внешним объемным резонатором (H01S 5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S 5/065) [7] |
5/16 | . | . | лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (H01S 5/14 имеет преимущество) [7] |
5/18 | . | . | лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры) [7] |
5/183 | . | . | . | с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры) [7] |
5/187 | . | . | . | с использованием распределенного отражателя Брэгга (SE-DBR-лазеры) (H01S 5/183 имеет преимущество) [7] |
5/20 | . | структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны [7] |
5/22 | . | . | с чередующимися гребнями и бороздками [7] |
5/223 | . | . | . | утопленная бороздчатая структура (H01S 5/227 имеет преимущество) [7] |
5/227 | . | . | . | утопленная мезаструктура [7] |
5/24 | . | . | в виде канавок, например V-образных [7] |
5/30 | . | структура или форма активной зоны; материалы для нее [7] |
5/32 | . | . | с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34 имеет преимущество) [7] |
5/323 | . | . | . | в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7] |
5/327 | . | . | . | с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7] |
5/34 | . | . | содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (большие лазеры) [7] |
5/343 | . | . | . | в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7] |
5/347 | . | . | . | в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7] |
5/40 | . | размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S 5/02-H01S 5/30 (H01S 5/50 имеет преимущество) [7] |
5/42 | . | . | решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью [7] |
5/50 | . | конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S 5/02-H01S 5/30(как ретрансляторы в передающих системах H04B 10/17) [7] |